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NTS4101PT1G中文资料

NTS4101PT1G图片

NTS4101PT1G外观图

  • 大小:128.3KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: MOSFET, P, 20V, SOT-323; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.37A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-640mV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.37A; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:329mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-640mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.37A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:840pF @ 20V
  • 功率 - 最大:329mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTS4101PT1GOSTR

NTS4101PT1G供应商

更新时间:2023-01-05 09:32:33
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